2SK3132Q

Toshiba 东芝分立器件

TO-3PL N-CH 500V 50A

通孔 N 通道 50A（Ta） 250W（Tc） TO-3P（L）

得捷:
MOSFET N-CH 500V 50A TO3P

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 50A 3-Pin3+Tab TO-3PL

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 50A 3-Pin3+Tab TO-3PL

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 50A 3-Pin3+Tab TO-3PL

2SK3132Q中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 250 W

阈值电压 3.4 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 50A

上升时间 105 ns

输入电容Ciss 11000pF @10VVds

额定功率Max 250 W

下降时间 65 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SK3132Q引脚图与封装图

暂无图片

在线购买2SK3132Q

型号	制造商	描述	购买
2SK3132Q	Toshiba 东芝	TO-3PL N-CH 500V 50A	搜索库存