2N7002_L99Z
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
2N7002_L99Z中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 115 mA
通道数 1
漏源极电阻 1.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 115 mA
输入电容Ciss 50pF @25VVds
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 200mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.2 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N7002_L99Z引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2N7002_L99Z
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N7002_L99Z | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3Pin SOT-23 T/R | 搜索库存 |
替代型号2N7002_L99Z
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N7002_L99Z 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 N-Channel 60V 115mA 1.2ohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3Pin SOT-23 T/R | 当前型号 |
| 型号： 2N7002LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 60V 115mA 7.5ohms | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N7002LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V | 2N7002_L99Z和2N7002LT1G的区别 |
| 型号： 2N7002KT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 N-Channel 60V 380mA | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N7002KT1G. 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 380mA SOT-23 | 2N7002_L99Z和2N7002KT1G的区别 |
| 型号： 2N7002ET1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 N-Channel 60V 310mA | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N7002ET1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V | 2N7002_L99Z和2N7002ET1G的区别 |