2N5639RLRA
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
2N5639RLRA中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 310 mW
栅源击穿电压 35.0 V
工作温度Max 135 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 310 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
2N5639RLRA引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| 2N5639RLRA | ON Semiconductor 安森美 | Trans JFET N-CH 30V 3Pin TO-92 T/R | 搜索库存 |