2N5551TAR
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
2N5551TAR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 160 V
额定电流 600 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
增益频宽积 300 MHz
击穿电压集电极-发射极 160 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 4.7 mm
宽度 3.93 mm
高度 4.7 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Box TB
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N5551TAR引脚图与封装图
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在线购买2N5551TAR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N5551TAR | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3Pin TO-92 Ammo | 搜索库存 |
替代型号2N5551TAR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5551TAR 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 160V 600mA | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3Pin TO-92 Ammo | 当前型号 |
| 型号： 2N5551 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN | 完全替代 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N5551 单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 150 MHz, 625 mW, 600 mA, 80 hFE | 2N5551TAR和2N5551的区别 |
| 型号： 2N5551_J05Z 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-226-3 NPN | 类似代替 | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3Pin TO-92 Bulk | 2N5551TAR和2N5551_J05Z的区别 |
| 型号： 2N5551TA 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 160V 600mA 625mW | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N5551TA 单晶体管 双极, NPN, 160 V, 100 MHz, 625 mW, 600 mA, 30 hFE | 2N5551TAR和2N5551TA的区别 |