2N5088中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 50.0 mA
极性 N-Channel
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
最小电流放大倍数hFE 300 @100µA, 5V
额定功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541210095
2N5088引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N5088
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5088 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 N-Channel 30V 50mA 625mW | 当前型号 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | 当前型号 |
| 型号： 2N5088BU 品牌： 安森美 封装： TO-92-3 625mW | 完全替代 | ON Semiconductor 2N5088BU , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:300, 50 MHz, 3引脚 TO-92封装 | 2N5088和2N5088BU的区别 |
| 型号： 2N5088TA 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 30V 100mA 625mW | 功能相似 | NPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 2N5088和2N5088TA的区别 |