2N5401RLRMG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -150 V
额定电流 -600 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 150 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Box TB
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2N5401RLRMG引脚图与封装图
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在线购买2N5401RLRMG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N5401RLRMG | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon | 搜索库存 |
替代型号2N5401RLRMG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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