2N3906_D81Z
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
2N3906_D81Z中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
额定功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N3906_D81Z引脚图与封装图
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在线购买2N3906_D81Z
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N3906_D81Z | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3Pin TO-92 T/R | 搜索库存 |
替代型号2N3906_D81Z
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N3906_D81Z 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-226-3 PNP | 当前型号 | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3Pin TO-92 T/R | 当前型号 |
| 型号： 2N3906_J05Z 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-226-3 PNP | 完全替代 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Transistor General Purpose | 2N3906_D81Z和2N3906_J05Z的区别 |
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| 型号： 2N3906TF 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -40V -200mA 625mW | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N3906TF 晶体管, PNP, -40V, TO-92 | 2N3906_D81Z和2N3906TF的区别 |