额定电压DC 40.0 V
额定电流 600 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 1V
额定功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2N4401RLRA | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N4401RLRA 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-92 NPN 40V 600mA | 当前型号 | 通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon | 当前型号 | |
型号: 2N4401TA 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 40V 600mA 625mW | 完全替代 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N4401TA 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 625 mW, 20 hFE | 2N4401RLRA和2N4401TA的区别 | |
型号: 2N4401TF 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 40V 600mA 625mW | 完全替代 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N4401TF 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 625 mW, 20 hFE | 2N4401RLRA和2N4401TF的区别 | |
型号: 2N4401BU 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 40V 600mA 625mW | 完全替代 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N4401BU 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 625 mW, 600 mA, 100 hFE | 2N4401RLRA和2N4401BU的区别 |