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2N3906_D11Z

2N3906_D11Z

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
2N3906_D11Z中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 625 mW

增益频宽积 250 MHz

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N3906_D11Z引脚图与封装图
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在线购买2N3906_D11Z
型号 制造商 描述 购买
2N3906_D11Z Fairchild 飞兆/仙童 Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3Pin TO-92 T/R 搜索库存
替代型号2N3906_D11Z
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2N3906_D11Z

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-226-3 PNP

当前型号

Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3Pin TO-92 T/R

当前型号

型号: 2N3906TFR

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-92 PNP -40V -200mA 625mW

类似代替

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N3906TFR  晶体管, PNP, -40V, TO-92

2N3906_D11Z和2N3906TFR的区别

型号: 2N3906TF

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-92 PNP -40V -200mA 625mW

类似代替

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N3906TF  晶体管, PNP, -40V, TO-92

2N3906_D11Z和2N3906TF的区别