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2N4124TAR
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
2N4124TAR中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 200 mA

极性 NPN

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 360

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N4124TAR引脚图与封装图
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在线购买2N4124TAR
型号 制造商 描述 购买
2N4124TAR Fairchild 飞兆/仙童 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Transistor General Purpose 搜索库存
替代型号2N4124TAR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2N4124TAR

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-92 NPN 25V 200mA

当前型号

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Transistor General Purpose

当前型号

型号: 2N4124-AP

品牌: 美微科

封装:

功能相似

TO-92 NPN 25V 0.2A

2N4124TAR和2N4124-AP的区别

型号: 2N4124_J18Z

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-226-3 NPN

功能相似

Trans GP BJT NPN 25V 0.2A 3Pin TO-92 Bulk

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