额定电压DC -80.0 V
额定电流 -20.0 A
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 50A
最小电流放大倍数hFE 15 @25A, 2V
最大电流放大倍数hFE 60
额定功率Max 300 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-3
封装 TO-3
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
最小包装 100
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2N5684 | ON Semiconductor 安森美 | 高电流互补硅功率晶体管 High−Current Complementary Silicon Power Transistors | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N5684 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-3 PNP -80V -20A | 当前型号 | 高电流互补硅功率晶体管 High−Current Complementary Silicon Power Transistors | 当前型号 | |
型号: 2N5683 品牌: NTE Electronics 封装: PNP | 类似代替 | NTE ELECTRONICS 2N5683 Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -60V, 2MHz, 300W, -50A, 15 hFE | 2N5684和2N5683的区别 | |
型号: 2N5684G 品牌: 安森美 封装: TO-3 PNP -80V 50mA 300000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N5684G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 2 MHz, 300 W, -50 A, 2 hFE | 2N5684和2N5684G的区别 | |
型号: JANTXV2N5684 品牌: 美高森美 封装: TO-3 NPN | 功能相似 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | 2N5684和JANTXV2N5684的区别 |