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2N3417_D75Z

2N3417_D75Z

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
2N3417_D75Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 180 @2mA, 4.5V

最大电流放大倍数hFE 540

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N3417_D75Z引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
2N3417_D75Z Fairchild 飞兆/仙童 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Transistor General Purpose 搜索库存