2N5769
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
2N5769中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 15.0 V
额定电流 200 mA
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 15 V
最小电流放大倍数hFE 40
最大电流放大倍数hFE 120
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N5769引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N5769
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5769 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 15V 200mA | 当前型号 | NPN开关晶体管 NPN Switching Transistor | 当前型号 |
| 型号： MPSA62 品牌： 安森美 封装： CASE 625mW | 功能相似 | 达林顿晶体管（ PNP硅） Darlington TransistorsPNP Silicon | 2N5769和MPSA62的区别 |
| 型号： BC109C 品牌： Multicomp 封装： TO-18 NPN 600mW | 功能相似 | MULTICOMP BC109C 单晶体管 双极, 低噪, NPN, 25 V, 150 MHz, 600 mW, 200 mA, 800 hFE | 2N5769和BC109C的区别 |
| 型号： BC108C 品牌： Multicomp 封装： TO-18 NPN 600mW | 功能相似 | MULTICOMP BC108C 单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 150 MHz, 600 mW, 200 mA, 420 hFE | 2N5769和BC108C的区别 |