额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 250 @100µA, 5V
额定功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Box TB
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N5087TA 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 PNP -50V -100mA | 当前型号 | Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3Pin TO-92 Ammo | 当前型号 | |
型号: 2N5087BU 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 PNP -50V -100mA | 完全替代 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Transistor General Purpose | 2N5087TA和2N5087BU的区别 | |
型号: 2N5087TF 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 PNP -50V -100mA | 完全替代 | Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3Pin TO-92 T/R | 2N5087TA和2N5087TF的区别 | |
型号: 2N5087G 品牌: 安森美 封装: TO-92 PNP -50V -50mA 625mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N5087G 单晶体管 双极, 通用, PNP, 50 V, 40 MHz, 625 mW, -50 mA, 40 hFE | 2N5087TA和2N5087G的区别 |