额定电压DC -250 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 250 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 45 @50mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2N6518TA | Fairchild 飞兆/仙童 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Si Transistor Epitaxial | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N6518TA 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 PNP -250V -500mA | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Si Transistor Epitaxial | 当前型号 | |
型号: ZTX753 品牌: 美台 封装: TO-92 PNP 100V 2A 1000mW | 功能相似 | DIODES INC. ZTX753 单晶体管 双极, 通用, PNP, -100 V, 140 MHz, 1 W, -2 A, 100 hFE | 2N6518TA和ZTX753的区别 | |
型号: ZTX553 品牌: 美台 封装: TO-92 PNP 100V 1A 1000mW | 功能相似 | DIODES INC. ZTX553 单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 150 MHz, 1 W, 1 A, 40 hFE | 2N6518TA和ZTX553的区别 | |
型号: ZTX614 品牌: 美台 封装: TO-92 NPN 100V 800mA 1000mW | 功能相似 | ZTX614 系列 100 V 0.8 A NPN 硅 平面 中等功率 达林顿晶体管 | 2N6518TA和ZTX614的区别 |