2STC5949中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 250 V
集电极最大允许电流 17A
最小电流放大倍数hFE 80 @1A, 5V
额定功率Max 220 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-264-3
外形尺寸
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2STC5949引脚图与封装图
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在线购买2STC5949
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2STC5949 | ST Microelectronics 意法半导体 | 高功率NPN外延平面型双极晶体管 High power NPN epitaxial planar bipolar transistor | 搜索库存 |
替代型号2STC5949
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2STC5949 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-264 NPN | 当前型号 | 高功率NPN外延平面型双极晶体管 High power NPN epitaxial planar bipolar transistor | 当前型号 |
| 型号： FJL4315OTU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-264 NPN 230V 15A 150W | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJL4315OTU 单晶体管 双极, NPN, 250 V, 30 MHz, 150 W, 17 A, 35 hFE | 2STC5949和FJL4315OTU的区别 |