2N5400G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -120 V
额定电流 500 mA
极性 PNP
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 120 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2N5400G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2N5400G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N5400G | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon | 搜索库存 |
替代型号2N5400G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5400G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 PNP -120V 500mA | 当前型号 | 放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon | 当前型号 |
| 型号： 2N5400RLRP 品牌： 安森美 封装： TO-92 PNP -120V -600mA | 类似代替 | 放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon | 2N5400G和2N5400RLRP的区别 |
| 型号： 2N5400 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -120V 600mA 625mW | 功能相似 | PNP通用放大器 PNP General Purpose Amplifier | 2N5400G和2N5400的区别 |
| 型号： 2N5400RA 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -120V -600mA | 功能相似 | Trans GP BJT PNP 120V 0.6A 3Pin TO-92 T/R | 2N5400G和2N5400RA的区别 |