2N5089BU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
2N5089BU中文资料参数规格
技术参数
频率 50 MHz
额定电压DC 25.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.625 W
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 400 @100µA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N5089BU引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N5089BU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5089BU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 25V 100mA 0.625W | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 25V 0.1A 3Pin TO-92 Bulk | 当前型号 |
| 型号： 2N5089G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 25V 50mA 625mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N5089G 射频双极晶体管 | 2N5089BU和2N5089G的区别 |