2N6042中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -100 V
额定电流 8.00 A
极性 PNP
耗散功率 75 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 1000 @3A, 4V
最大电流放大倍数hFE 20000
额定功率Max 75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.28 mm
宽度 4.82 mm
高度 9.28 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 50
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N6042引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2N6042
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N6042 | ON Semiconductor 安森美 | 塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors | 搜索库存 |
替代型号2N6042
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N6042 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220-3 PNP -100V 8A 75W | 当前型号 | 塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors | 当前型号 |
| 型号： 2N6042G 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 PNP -100V -8A 75000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR 2N6042G. 达林顿双极晶体管 | 2N6042和2N6042G的区别 |
| 型号： BDX54CG 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 PNP -100V -8A 65000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BDX54CG 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 65 W, 8 A, 750 hFE | 2N6042和BDX54CG的区别 |
| 型号： BDW47G 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 PNP -100V -15A 85000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BDW47G 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 4 MHz, 85 W, 15 A, 1000 hFE | 2N6042和BDW47G的区别 |