频率 300 MHz
额定电压DC 140 V
额定电流 600 mA
极性 NPN
耗散功率 0.625 W
击穿电压集电极-发射极 140 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2N5550TF | Fairchild 飞兆/仙童 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Epitaxial | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N5550TF 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 140V 600mA 0.625W | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Epitaxial | 当前型号 | |
型号: 2N5550TFR 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 140V 600mA 0.625W | 完全替代 | NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 2N5550TF和2N5550TFR的区别 | |
型号: 2N5550TA 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 140V 600mA 625mW | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3Pin TO-92 Ammo | 2N5550TF和2N5550TA的区别 | |
型号: 2N5550BU 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 140V 600mA 0.625W | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3Pin TO-92 Bulk | 2N5550TF和2N5550BU的区别 |