2N4403RLRA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -600 mA
击穿电压 40.0 V
极性 Dual P-Channel
耗散功率 625 mW
增益频宽积 200 MHz
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N4403RLRA引脚图与封装图
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在线购买2N4403RLRA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N4403RLRA | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistors PNP Silicon | 搜索库存 |
替代型号2N4403RLRA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N4403RLRA 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 Dual P-Channel -40V -600mA | 当前型号 | 通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistors PNP Silicon | 当前型号 |
| 型号： 2N4403BU 品牌： 安森美 封装： TO-92-3 625mW | 类似代替 | ON Semiconductor 2N4403BU , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:20, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装 | 2N4403RLRA和2N4403BU的区别 |
| 型号： 2N4403TFR 品牌： 安森美 封装： TO-92-3 625mW | 类似代替 | ON Semiconductor 2N4403TFR , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:20, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装 | 2N4403RLRA和2N4403TFR的区别 |
| 型号： 2N4403TA 品牌： 安森美 封装： TO-92-3 625mW | 类似代替 | 小信号 PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 2N4403RLRA和2N4403TA的区别 |