2N7640-GA
数据手册.pdf
GeneSiC Semiconductor
分立器件
耗散功率 330W Tc
漏源极电压Vds 650 V
输入电容Ciss 1534pF @35VVds
工作温度Max 250 ℃
耗散功率Max 330W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-276
封装 TO-276
工作温度 -55℃ ~ 225℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17