2731-100M

Microsemi 美高森美分立器件

100瓦， 36伏特，为200us ， 10 ％雷达2700-3100兆赫 100 Watts, 36 Volts, 200us, 10% Radar 2700-3100 MHz

is a Silicon Common Base, Class C BJT designed to provide 100 Watts of peak power output, biased at 36 Volts and with a power gain of 8.0 dB

贸泽:
RF Bipolar Transistors S-Band/Bipolar Transistor

艾睿:
Trans RF BJT NPN 65V 15A 3-Pin Case 55KS-1

2731-100M中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 575000 mW

输出功率 140 W

击穿电压集电极-发射极 65 V

增益 8db ~ 9.4dB

最小电流放大倍数hFE 15 @600mA, 5V

额定功率Max 575 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 575000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 3

封装 55KS-1

外形尺寸

高度 4.19 mm

封装 55KS-1

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2731-100M引脚图与封装图

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2731-100M	Microsemi 美高森美	100瓦， 36伏特，为200us ， 10 ％雷达2700-3100兆赫 100 Watts, 36 Volts, 200us, 10% Radar 2700-3100 MHz	搜索库存