2225-4L
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
耗散功率 10000 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
增益 8.5 dB
最小电流放大倍数hFE 20 @200mA, 5V
额定功率Max 10 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 10000 mW
安装方式 Chassis
引脚数 3
封装 LV-55
高度 3.43 mm
封装 LV-55
工作温度 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free