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2N7638-GA
GeneSiC Semiconductor 分立器件

Trans JFET N-CH 650V 8A SiC 3Pin SMD-0.5

650V 8A Tc 158°C 200W Tc Surface Mount TO-276


得捷:
TRANS SJT 650V 8A TO276


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT SiC High Temp SJT 650V 8A 225 Degree C


艾睿:
Trans JFET N-CH 650V 8A SiC 3-Pin SMD-0.5


Verical:
Trans JFET N-CH 600V 20A SiC 3-Pin SMD-0.5


Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR  2N7638-GA  JFET Transistor, Junction Field Effect, TO-276, JFET


2N7638-GA中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200W Tc

漏源极电压Vds 650 V

输入电容Ciss 720pF @35VVds

工作温度Max 250 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-276

外形尺寸

封装 TO-276

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 225℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17

2N7638-GA引脚图与封装图
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