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数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
耗散功率 10200 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
增益 8 dB
最小电流放大倍数hFE 10 @300mA, 5V
额定功率Max 10.2 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 10200 mW
安装方式 Screw
引脚数 3
封装 BT-55
封装 BT-55
工作温度 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead