2N2432A

Microsemi(美高森美) 分立器件

NPN硅低功率晶体管 NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 30V 100mA 300mW Through Hole TO-18 TO-206AA

艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin TO-18 Bag

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Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin TO-18 Bag

2N2432A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

最小电流放大倍数hFE 80 @1mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18

外形尺寸

封装 TO-18

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

2N2432A引脚图与封装图

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替代型号2N2432A

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： 2N2432A 品牌： Microsemi 美高森美封装： TO-18	当前型号	NPN硅低功率晶体管 NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR	当前型号
型号： JANTX2N2432A 品牌：美高森美封装： TO-18 NPN 300mW	类似代替	TO-18 NPN 45V 0.1A	2N2432A和JANTX2N2432A的区别
型号： JANTXV2N2432A 品牌：美高森美封装： TO-18 NPN 300mW	类似代替	TO-18 NPN 45V 0.1A	2N2432A和JANTXV2N2432A的区别
型号： JAN2N2432A 品牌：美高森美封装： TO-18 NPN 300mW	类似代替	TO-18 NPN 45V 0.1A	2N2432A和JAN2N2432A的区别