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2N6437
Microsemi 美高森美 分立器件

Trans GP BJT PNP 100V 25A 3Pin2+Tab TO-3

has the solution to your circuit"s high-voltage requirements with their PNP general purpose bipolar junction transistor. Its maximum power dissipation is 200000 mW. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 125 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 100 V.

2N6437中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200 W

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

2N6437引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
2N6437 Microsemi 美高森美 Trans GP BJT PNP 100V 25A 3Pin2+Tab TO-3 搜索库存
替代型号2N6437
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型号: 2N6437

品牌: Microsemi 美高森美

封装: TO-3 200000mW

当前型号

Trans GP BJT PNP 100V 25A 3Pin2+Tab TO-3

当前型号

型号: TIP145

品牌: NTE Electronics

封装:

功能相似

t-Pnp Si- Po Darlington

2N6437和TIP145的区别

型号: TIP146

品牌: NTE Electronics

封装:

功能相似

t-Pnp Si- Po Darlington

2N6437和TIP146的区别