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2N2920U

2N2920U

数据手册.pdf

NPN硅晶体管双 NPN SILICON DUAL TRANSISTOR

**NPN SILICON DUAL TRANSISTOR**

**_Qualified per MIL-PRF-19500 /355_**


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Small-Signal BJT


艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 0.03A 6-Pin Case U


Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 0.03A 6-Pin Case U


2N2920U中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.35 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.03A

最小电流放大倍数hFE 300 @1mA, 5V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SMD-3

外形尺寸

封装 SMD-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N2920U引脚图与封装图
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