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2N5015

数据手册.pdf

NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR

- 双极 BJT - 单 NPN 1000 V 200 mA - 1 W 通孔 TO-5


得捷:
TRANS NPN 1000V 0.2A TO5


艾睿:
Trans GP BJT NPN 0.2A 3-Pin TO-5


2N5015中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1000 V

最小电流放大倍数hFE 30 @20mA, 10V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

2N5015引脚图与封装图
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