2N2907AUA
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
2N2907AUA中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.5 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-18
外形尺寸
封装 TO-18
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
2N2907AUA引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N2907AUA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N2907AUA 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-18 500mW | 当前型号 | 抗辐射 RADIATION HARDENED | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N2907AUA 品牌： 美高森美 封装： UA 500mW | 完全替代 | PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR | 2N2907AUA和JANTX2N2907AUA的区别 |
| 型号： JANS2N2907AUA 品牌： 美高森美 封装： UA 500mW | 完全替代 | PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR | 2N2907AUA和JANS2N2907AUA的区别 |