2N6318
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
分立器件
2N6318中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 90 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 90000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-66
外形尺寸
封装 TO-66
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
2N6318引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2N6318
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N6318 | Microsemi 美高森美 | Trans GP BJT PNP 80V 7A 3Pin2+Tab TO-66 | 搜索库存 |
替代型号2N6318
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N6318 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-66 90000mW | 当前型号 | Trans GP BJT PNP 80V 7A 3Pin2+Tab TO-66 | 当前型号 |
| 型号： 2N6316 品牌： 美高森美 封装： TO-66 | 完全替代 | PNP Transistor | 2N6318和2N6316的区别 |
| 型号： 2N6317 品牌： 美高森美 封装： TO-66 115000mW | 类似代替 | Trans GP BJT PNP 60V 7A 3Pin2+Tab TO-66 | 2N6318和2N6317的区别 |
| 型号： 2N3583 品牌： NTE Electronics 封装： TO-66 NPN | 功能相似 | NTE ELECTRONICS 2N3583 晶体管, NPN 高电压 | 2N6318和2N3583的区别 |