2N3764
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
2N3764中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1 W
最小电流放大倍数hFE 30
最大电流放大倍数hFE 120
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-46-3
外形尺寸
封装 TO-46-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
2N3764引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N3764
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N3764 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-46-3 | 当前型号 | PNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N3763 品牌： 雷神 封装： | 功能相似 | Power Bipolar Transistor, 1.5A IC, 60V VBRCEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, Metal, 3 Pin, | 2N3764和JANTX2N3763的区别 |
