2N3585
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
2N3585中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-66
外形尺寸
封装 TO-66
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N3585引脚图与封装图
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在线购买2N3585
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N3585 | Microsemi 美高森美 | 5安培， 500V ，高压硅NPN功率晶体管 5 Amp, 500V, High Voltage NPN Silicon Power Transistors | 搜索库存 |
替代型号2N3585
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N3585 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-66 2500mW | 当前型号 | 5安培， 500V ，高压硅NPN功率晶体管 5 Amp, 500V, High Voltage NPN Silicon Power Transistors | 当前型号 |
| 型号： 2N5039 品牌： NTE Electronics 封装： NPN | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 150V 25A 3Pin2+Tab TO-3 | 2N3585和2N5039的区别 |
| 型号： 2N3584 品牌： NTE Electronics 封装： NPN | 功能相似 | NTE ELECTRONICS 2N3584 Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 350V, 35W, 5A, 100 hFE | 2N3585和2N3584的区别 |