2N3584
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
2N3584中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 35 W
最小电流放大倍数hFE 40
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-66-2
外形尺寸
封装 TO-66-2
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2N3584引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2N3584
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N3584 | Microsemi 美高森美 | 5安培， 375V ，高压硅NPN功率晶体管 5 Amp, 375V, High Voltage NPN Silicon Power Transistors | 搜索库存 |
替代型号2N3584
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N3584 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-66-2 | 当前型号 | 5安培， 375V ，高压硅NPN功率晶体管 5 Amp, 375V, High Voltage NPN Silicon Power Transistors | 当前型号 |
| 型号： 2N5039 品牌： NTE Electronics 封装： NPN | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 150V 25A 3Pin2+Tab TO-3 | 2N3584和2N5039的区别 |
| 型号： 2N3771 品牌： NTE Electronics 封装： | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 90V 30A 3Pin2+Tab TO-3 | 2N3584和2N3771的区别 |