击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 150 @1mA, 5V
额定功率Max 600 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-78-6
封装 TO-78-6
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准
含铅标准
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N3810 品牌: Central Semiconductor 封装: | 当前型号 | Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 6Pin TO-78 Box | 当前型号 | |
型号: JANS2N3810 品牌: 美高森美 封装: TO-78 PNP 350mW | 功能相似 | TO-78 PNP 60V 0.05A | 2N3810和JANS2N3810的区别 | |
型号: 2N3810LEADFREE 品牌: Central Semiconductor 封装: | 功能相似 | TO-78 PNP 60V 0.05A | 2N3810和2N3810LEADFREE的区别 | |
型号: JANTXV2N3810 品牌: 雷神 封装: | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A IC, 60V VBRCEO, 2-Element, PNP, Silicon, SIMILAR TO TO-78, 6 PIN | 2N3810和JANTXV2N3810的区别 |