击穿电压集电极-发射极 40 V
最小电流放大倍数hFE 20 @1A, 1.5V
额定功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SMD-3
封装 SMD-3
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N3737UB 品牌: Microsemi 美高森美 封装: SMD | 当前型号 | 硅NPN开关晶体管 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: JANTXV2N3737UB 品牌: 美高森美 封装: SOT 500mW | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 3Pin UB | 2N3737UB和JANTXV2N3737UB的区别 | |
型号: JAN2N3737UB 品牌: 美高森美 封装: TO-46 | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 3Pin UB | 2N3737UB和JAN2N3737UB的区别 | |
型号: JANS2N3737UB 品牌: 美高森美 封装: SOT 500mW | 类似代替 | Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 3Pin UB | 2N3737UB和JANS2N3737UB的区别 |