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2N2369AUB

2N2369AUB

数据手册.pdf

硅NPN开关晶体管 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile NPN GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 4.5 V. Its maximum power dissipation is 360 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 15 V and a maximum emitter base voltage of 4.5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C.

2N2369AUB中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.36 W

击穿电压集电极-发射极 15 V

最小电流放大倍数hFE 20 @100mA, 1V

额定功率Max 360 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-18-3

外形尺寸

封装 TO-18-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

2N2369AUB引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
2N2369AUB Microsemi 美高森美 硅NPN开关晶体管 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： 2N2369AUB

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-18 360mW

当前型号

硅NPN开关晶体管 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR

当前型号

型号： JANS2N2369AUB

品牌： 美高森美

封装： UB NPN

完全替代

UB NPN 15V

2N2369AUB和JANS2N2369AUB的区别

型号： JAN2N2369AUB

品牌： 美高森美

封装：

完全替代

NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR

2N2369AUB和JAN2N2369AUB的区别

型号： 2N2369ACSM

品牌： Semelab

封装： LCC NPN

功能相似

SEMELAB  2N2369ACSM  单晶体管 双极, NPN, 15 V, 360 mW, 200 mA, 40 hFE

2N2369AUB和2N2369ACSM的区别