2N3506
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
电子元器件分类
2N3506中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
外形尺寸
封装 TO-39
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
2N3506引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N3506
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N3506 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | NPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N3506 品牌： 美高森美 封装： TO-205AD NPN 1000mW | 完全替代 | TO-39 NPN 40V 3A | 2N3506和JANTX2N3506的区别 |
| 型号： 2N3506A 品牌： 美高森美 封装： TO-39 | 完全替代 | NPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR | 2N3506和2N3506A的区别 |
| 型号： 2N3506L 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | NPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR | 2N3506和2N3506L的区别 |