2N2484UB

Microsemi(美高森美) 分立器件

NPN硅低功率晶体管 NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 60V 50mA 360mW Surface Mount UB

艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 4-Pin Case UB Waffle

Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 4-Pin Case UB Waffle

2N2484UB中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 0.36 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 225 @10mA, 5V

额定功率Max 360 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SMD-3

外形尺寸

封装 SMD-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N2484UB引脚图与封装图

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2N2484UB	Microsemi 美高森美	NPN硅低功率晶体管 NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR	搜索库存

替代型号2N2484UB

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： 2N2484UB 品牌： Microsemi 美高森美封装： SMD 360mW	当前型号	NPN硅低功率晶体管 NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR	当前型号
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