2N3485A

Microsemi(美高森美) 分立器件

PNP硅小信号晶体管 PNP SILICON SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 600mA 400mW Through Hole TO-46 TO-206AB

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-46 Bag

Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-46 Bag

2N3485A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 0.4 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 10V

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-46-3

外形尺寸

封装 TO-46-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N3485A引脚图与封装图

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替代型号2N3485A

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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