2N6660
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Supertex
超科
分立器件
2N6660中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 3.00 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 6.25 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 410 mA
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
外形尺寸
封装 TO-39
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541900000
2N6660引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N6660
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N6660 品牌： Supertex 超科 封装： TO-39 N-Channel 410mA 3ohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3Pin TO-39 | 当前型号 |
| 型号： 2N7002,215 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002,215, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装 | 2N6660和2N7002,215的区别 |
| 型号： 2N7002-G 品牌： 超科 封装： SOT-23 N-Channel 115mA 7.5Ω | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3Pin SOT-23 | 2N6660和2N7002-G的区别 |
| 型号： TN2124K1-G 品牌： 超科 封装： SOT-23 N-Channel 134mA 15Ω | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 240V 0.134A 3Pin SOT-23 | 2N6660和TN2124K1-G的区别 |