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2N4029

2N4029

数据手册.pdf

PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

If your circuit"s specifications require a device that can handle high levels of voltage, "s PNP general purpose bipolar junction transistor is for you. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 500 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 80 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C.

2N4029中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.5 W

增益频宽积 150 MHz

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18-3

外形尺寸

封装 TO-18-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N4029引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
2N4029 Microsemi 美高森美 PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR 搜索库存
替代型号2N4029
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： 2N4029

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-18-3 500mW

当前型号

PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

当前型号

型号： JAN2N4033

品牌： 美高森美

封装： TO-39 800mW

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型号： JANTXV2N4033

品牌： 美高森美

封装： TO-39 800mW

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型号： 2N4033

品牌： 美高森美

封装： TO-205AD 800mW

功能相似

PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

2N4029和2N4033的区别