击穿电压集电极-发射极 35 V
额定功率Max 400 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 400 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-46-3
封装 TO-46-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N2946A 品牌: Microsemi 美高森美 封装: TO-46-3 | 当前型号 | PNP硅小信号晶体管 PNP SILICON SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: JANTXV2N2946A 品牌: 美高森美 封装: TO-46 400mW | 完全替代 | PNP硅小信号晶体管 PNP SILICON SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 2N2946A和JANTXV2N2946A的区别 | |
型号: JAN2N2946A 品牌: 美高森美 封装: TO-46 400mW | 完全替代 | PNP硅小信号晶体管 PNP SILICON SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 2N2946A和JAN2N2946A的区别 |