2SJ162-E
数据手册.pdf
Renesas Electronics
瑞萨电子
分立器件
2SJ162-E中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -160 V
额定电流 -7.00 A
额定功率 100 W
耗散功率 100W Tc
输入电容 900 pF
漏源极电压Vds 160 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
输入电容Ciss 900pF @10VVds
额定功率Max 100 W
耗散功率Max 100W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SJ162-E引脚图与封装图 
2SJ162-E引脚图
2SJ162-E封装图
2SJ162-E封装焊盘图
在线购买2SJ162-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SJ162-E | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET | 搜索库存 |
替代型号2SJ162-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SJ162-E 品牌： Renesas Electronics 瑞萨电子 封装： TO-3P-3 160V 7A 900pF | 当前型号 | 硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET | 当前型号 |
| 型号： 2SJ162 品牌： 瑞萨电子 封装： TO-3P-3 160V 7A | 完全替代 | 硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET | 2SJ162-E和2SJ162的区别 |
| 型号： 2SJ161 品牌： 瑞萨电子 封装： TO P-CH 140V 7A | 功能相似 | 硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET | 2SJ162-E和2SJ161的区别 |