2N3735
数据手册.pdf
Central Semiconductor
电子元器件分类
2N3735中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1 W
增益频宽积 250 MHz
最小电流放大倍数hFE 20 @1A, 1.5V
最大电流放大倍数hFE 80 @1A, 1.5V
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39-3
外形尺寸
封装 TO-39-3
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
2N3735引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N3735
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N3735 品牌： Central Semiconductor 封装： | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 50V 3Pin TO-39 | 当前型号 |
| 型号： 2N4390 品牌： Central Semiconductor 封装： | 类似代替 | TO-18 NPN 120V | 2N3735和2N4390的区别 |
| 型号： BCP53 品牌： 西门子 封装： | 功能相似 | PNP Silicon AF Transistors For AF driver and output stages High collector current | 2N3735和BCP53的区别 |