2SK1859-E
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Renesas Electronics
瑞萨电子
分立器件
2SK1859-E中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 60W Tc
漏源极电压Vds 900 V
输入电容Ciss 980pF @10VVds
额定功率Max 60 W
耗散功率Max 60W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SK1859-E引脚图与封装图 
2SK1859-E引脚图
2SK1859-E封装图
2SK1859-E封装焊盘图
在线购买2SK1859-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SK1859-E | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET | 搜索库存 |
替代型号2SK1859-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SK1859-E 品牌： Renesas Electronics 瑞萨电子 封装： TO-3P-3 | 当前型号 | 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET | 当前型号 |
| 型号： 2SK1859 品牌： 瑞萨电子 封装： TO-3PFM N-CH 900V 6A | 类似代替 | 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET | 2SK1859-E和2SK1859的区别 |