2SK1775-E
数据手册.pdf
Renesas Electronics
瑞萨电子
分立器件
2SK1775-E中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 60 W
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 8A
上升时间 135 ns
输入电容Ciss 1730pF @10VVds
额定功率Max 60 W
下降时间 130 ns
耗散功率Max 60W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SK1775-E引脚图与封装图 
2SK1775-E引脚图
2SK1775-E封装图
2SK1775-E封装焊盘图
在线购买2SK1775-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SK1775-E | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET | 搜索库存 |
替代型号2SK1775-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SK1775-E 品牌： Renesas Electronics 瑞萨电子 封装： TO-3P-3 N-CH 900V 8A | 当前型号 | 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET | 当前型号 |
| 型号： 2SK1775 品牌： 瑞萨电子 封装： | 完全替代 | 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET | 2SK1775-E和2SK1775的区别 |
| 型号： 2SK1153-E 品牌： 瑞萨电子 封装： TO-220 | 功能相似 | 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET | 2SK1775-E和2SK1153-E的区别 |
| 型号： 2SK1153 品牌： 日立 封装： | 功能相似 | Silicon N-Channel MOS FET | 2SK1775-E和2SK1153的区别 |