2SK1342-E
数据手册.pdf
Renesas Electronics
瑞萨电子
分立器件
耗散功率 100 W
漏源极电压Vds 900 V
上升时间 135 ns
输入电容Ciss 1730pF @10VVds
额定功率Max 100 W
下降时间 130 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
封装 TO-3-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SK1342-E引脚图
2SK1342-E封装图
2SK1342-E封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SK1342-E | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2SK1342-E 品牌: Renesas Electronics 瑞萨电子 封装: TO-3P | 当前型号 | 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET | 当前型号 | |
型号: 2SK1342 品牌: 瑞萨电子 封装: TO | 类似代替 | 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET | 2SK1342-E和2SK1342的区别 |