2N3716
数据手册.pdf
Central Semiconductor
分立器件
2N3716中文资料参数规格
技术参数
频率 4 MHz
耗散功率 150 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 50 @1A, 2V
额定功率Max 150 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 150000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2N3716引脚图与封装图
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在线购买2N3716
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N3716 | Central Semiconductor | Power Bipolar Transistor, 10A IC, 80V VBRCEO, 1Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2Pin, TO-3, 2Pin | 搜索库存 |
替代型号2N3716
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N3716 品牌： Central Semiconductor 封装： TO3 150000mW | 当前型号 | Power Bipolar Transistor, 10A IC, 80V VBRCEO, 1Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2Pin, TO-3, 2Pin | 当前型号 |
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| 型号： JAN2N3715 品牌： 美高森美 封装： TO-3 5000mW | 功能相似 | NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR | 2N3716和JAN2N3715的区别 |